一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法

申 请 号： 200610154424.9 申 请 日：  2006.10.31  名 称：  一种在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法   公 开 (公告) 号： CN1944308  公开(公告)日：  2007.04.11   主 分 类 号：  C03C17/09(2006.01)I 分案原申请号：   分 类 号：  C03C17/09(2006.01)I   颁 证 日：   优 先 权：   申请(专利权)人：  浙江大学   地 址： 310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号  发 明 (设计)人： 杜丕一;张翼英;翁文剑;韩高荣;赵高凌;汪建勋;宋晨路;沈 鸽;徐 刚;张溪文  国 际 申 请：   国 际 公 布：  进入国家日期：   专利 代理 机构：  杭州求是专利事务所有限公司  代 理 人： 韩介梅  摘要　    本发明公开的在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法，采用的是射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法，步骤如下：将玻璃基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以H2稀释的SiH4和CH4气体为反应气源，CH4/(CH4+SiH4)摩尔比为0～1，二种气源在缓冲室混合后引入反应室中，射频辉光放电，在基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。本发明制备方法简单，制得的氢化非晶硅碳合金薄膜中Si-C键含量高，薄膜均匀性好，光学带隙基本稳定于2.5eV左右，电导率高。沉积在玻璃基板上的氢化非晶硅碳合金薄膜可广泛用于有源矩阵液晶显示器的电子器件、太阳能电池、光敏晶体管、发光二极管和传感器等等。 

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