我国扬州LED照明产业上游环节发展迅速

    自国家半导体照明工程实施以来，中国LED产业取得了长足的发展。2008年，全球金融危机导致下游市场需求疲软，在一定程度上减缓了中国LED产业的发展速度。进入2009年，随着国家不断出台相关扶持政策，中国LED产业增速企稳回升。2010年，在LED全彩显示、LED背光源、LED照明等下游应用高速发展的拉动下，包括衬底、外延、芯片、封装在内的中国LED产业规模高速增长到294.6亿元，比2009年大幅增长33.8%。2006-2010年，中国LED产业年均复合增长率达到18.7%。　　　　衬底环节仍以低端产品为主，蓝宝石产业开始大规模布局　　　　近几年，处于技术以及市场竞争等因素的原因，相对于外延、芯片和封装环节，国内衬底产业发展一直比较缓慢。2010年，众多蓝宝石衬底项目尚处在投资建设或设备调试阶段，产能尚未大规模释放，因此中国LED衬底产业仍主要以低端产品为主，蓝宝石衬底产业规模有限。2010年中国衬底环节产业规模达到352.5万平方英寸，同比增长34.4%，实现产值1.4亿元，比2009年增长50.8%。　　　　从中国衬底产业发展情况看，在国家半导体照明工程、国家863等重大专项的支持下，中国制备红光、绿光LED用的GaAs/InP/GaP衬底材料技术已经取得重大进展。在企业分布上，中科镓英，国瑞电子、上海中科嘉浦、中国电子科技集团第46研究所等企业已经实现上述产品的批量供应。这些企业LED衬底产量已经占据中国整体LED衬底产量的30%左右，从而保障了中国该类型衬底基本实现自主供应。　　　　外延环节产能迅速扩张，产品层次逐步提升　　　　LED外延作为LED产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaNMOCVD数量开始爆发性增长，使得中国LED外延产业得到快速发展。2010年，中国在产与建成调试的MOCVD数量接近300台，实现量产的MOCVD数量超过200台。2010年，中国LED外延产业规模为12.5亿元，比2009年大幅增长78.4%。　　　　具体在产品上，AlGaInP外延(主要应用于红光LED产品的制备)，由于该类材料生长机理以及材料特性稳定，使得该类产品生长技术相对容易掌握，目前国内该种外延产品发展也处于领先地位。由于AlGaInP外延下游应用领域相对成熟，对上游外延片增长拉动较为缓慢，使得AlGaInP外延片的增速远低于GaN外延片的增速。2010年，AlGaInP/AlGaAs/GaAsP/GaP系外延片产量约占整体外延产量的60.2%，较2009年减小15.8个百分点。此外，蓝白光LED景观照明、背光源等领域应用规模快速扩大的推动下和国内企业以及科研院所在材料生长技术不断取得突破的支撑下，2010年，GaN外延片产量约占整体外延产量的39.8%。未来三年，这一比例还将快速提升，预计2011年中国GaN外延片的产量将超过AlGaInP外延片。

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