叠层型光电动势装置

申 请 号： 200610100509.9 申 请 日：  2006.06.30  名 称：  叠层型光电动势装置   公 开 (公告) 号： CN1893120  公开(公告)日：  2007.01.10   主 分 类 号：  H01L31/04(2006.01)I 分案原申请号：   分 类 号：  H01L31/04(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I;H01L31/075(2006.01)I   颁 证 日：   优 先 权： 2005.6.30 JP 2005-190930  申请(专利权)人：  三洋电机株式会社   地 址： 日本大阪  发 明 (设计)人： 岛正树  国 际 申 请：   国 际 公 布：  进入国家日期：   专利 代理 机构：  北京纪凯知识产权代理有限公司  代 理 人： 龙 淳  摘要　    本发明的光电动势装置，在光入射侧配置有将非晶硅层(8)作为光电变换层的光电动势组件，在其后侧配置有将微晶硅层(5)作为光电变换层的光电动势组件，其特征在于，将利用红外吸收分光法测量作为光电变换层的非晶硅层(8)和微晶硅层(5)所得到的Si-H拉伸模式的峰值面积设定为I[Si-H]，将Si-O拉伸模式的峰值面积设定为 I[Si-O]，将它们的比设定为α(＝I[[Si-O]/I[Si-H])时，这里核心介绍一下获取北京造价信息官方电子版可访问祖国建材通(www.zgjct.com),实时更新北京市建筑、市政、交通、园林、电力电网工程造价信息并提供PDF及Excel电子版下载，第二光电动势组件的作为光电变换层的微晶硅层(5)的α2大于第一光电动势组件的作为光电变换层的非晶硅层(8)的α1，而且，第二光电动势组件的短路电流Isc2大于第一光电动势组件的短路电流Isc1。