采用斜坡型激光束的硅结晶方法

申 请 号： 200510115452.5 申 请 日：  2005.11.03  名 称：  采用斜坡型激光束的硅结晶方法   公 开 (公告) 号： CN1783426  公开(公告)日：  2006.06.07   主 分 类 号：  H01L21/00(2006.01)I 分案原申请号：   分 类 号：  H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I; H01L21/324(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I; C30B28/00(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I   颁 证 日：   优 先 权： 2004.11.4 KR 10-2004-0089449  申请(专利权)人：  LG.菲利浦LCD株式会社   地 址： 韩国首尔  发 明 (设计)人： 俞载成  国 际 申 请：   国 际 公 布：  进入国家日期：   专利 代理 机构：  北京律诚同业知识产权代理有限公司  代 理 人： 徐金国;梁 挥  摘要　    一种结晶方法，包括：在基板上形成非晶硅层；通过由具有沿扫描方向降低的斜坡型横截面的激光束照射非晶硅层形成第一结晶区域；通过在扫描方向上移动预定长度执行第二结晶以与由第一结晶形成的第一结晶区域局部重叠。

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