kla-tencor新款电子光束检测平台适用65nm工艺

    为了加速在65nm和45nm半导体工艺节点的创新，KLA-Tencor推出新一代电子光束检测平台──eS32；该产品具有优良的细微电子与小型物理缺陷捕获能力，{TodayHot}能协助晶圆厂将许多新的物质与装置架构整合至大量生产中。 eS32可应用在前端工艺(FEOL)与后端工艺(BEOL)中，针对可能影响良率的缺陷，进行侦测与解决。KLA-Tencor表示，该公司先前发表的eS30与eS31，在130nm和90nm的铜工艺BEOL良率挑战中，已扮演了重要的角色，而新一代的eS32则突破了65nm以下节点工艺的障碍，除提供业界认可的BEOL解决方案，还具备优良的成像条件，可侦测影响良率且不断增加的FEOL瑕疵种类。 KLA-Tencor指出，目前的电子光束检测系统已能够提供快速回馈，因此逻辑制造商已可找出并克服整合式镍硅化物(NiSi)中的FEOL问题，并将进入其中的硅过滤出来。此外，eS32的架构在设计时，即是要解决晶圆厂在不断创新以满足装置速度和功率消耗的考虑时，可能会遇到的良率问题挑战。 例如DRAM制造商为因应日益缩短的产品生命周期，必须积极采用新的工艺技术进行量产；由于这些制造商使用日益增加的小型电池，因此也面临了关键FEOL以及{HotTag}相互连接的挑战，这些业者得检测较高的高宽比填孔和电容器，并解决小型物理缺陷对良率产生的影响。eS32则可协助业者快速找出可能影响良率的缺陷。 KLA-Tencor表示，eS32在物理与电压对比敏感度方面有所提升，能以更快的时间找出根源；其沉积能量范围已经扩充，以增强细微的刻蚀不足接触缺陷的捕获能力，而其新设计的光束电流和扫描选项，则可用于电阻性高的物质，捕获与NiSi和过滤出来的硅整合有关、而且不断增加的细微深度缺陷。 在密集、高宽比架构中，新产品对于小型物理缺陷的捕获能力，并已经透过增加小型像点获得改善。而为了协助晶圆厂加速根源分析，并且找出及解决新的分类缺陷机制，eS32加入了新一代的binning算法，并支持KLA-Tencor的MicroLoop方法；该方法号称已经业界认可，能加快良率学习速度达50%。目前eS32已开始量产出货。 

工程投标价