新型高容量低导通电阻半导体继电器

   日经BP社2006年9月15日报道松下电工在半导体继电器“PhotoMOS系列”产品中追加了高容量、低导通电阻的“PhotoMOSSOP高容量”款型，2006年9月15日上市。包括负载电压为60V“SOP（小外形封装）4引脚”和80V的“SOP6引脚”2款，容量均为1.25A、原来的2.5倍。

    导通电阻方面，前者为0.2Ω、约为原来的1/4，后者为0.09Ω、约为原来的1/9。面向计测设备、电源、安全设备等要求长寿命{HotTag}的电路。 普通的半导体继电器很难兼顾高容量和低导通电阻，当要求高容量/低导通电阻时，一般采用机械继电器。但是，由于机械继电器的接点寿命短，在开闭频率高的场合，需要频繁地更换。因此，松下电工通过新开发输出端的MOSFET，开发成功了兼顾高容量和低导通电阻的半导体继电器。可满足设备的小型化及高密度封装要求。

    PhotoMOS继电器由MOSFET、LED及光感应器件组成。工作原理如下：当讯号电流通过输入接点时，LED发光，照射光感应器件。光感应器件根据受光量进行发电，为输出部分的MOSFET栅极充电。当MOSFET栅极的电压超过预设值时，MOSFET漏极与源极呈导通状态，继电器便开通。

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